InGaAs OTDR용 펄스형 APD 검파기

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InGaAs 펄스형 어발란체 포토다이오드(APD) 검파기는 OTDR(광섬유 시험기) 시스템에서 광학측정기로 사용되며 반사되어 되돌아오는 광신호를 전기신호로 변환시켜 광섬유의 길이 및 중단점을 확인할수 있습니다. 본 펄스형 검파기는 -40 ℃ ~ 85 ℃온도하에서 동작가능하고 1310nm에서1550nm사이의 파장범위내의 빛을 받을수 있습니다. 3Gbps의 전송속도로 신속하게 광펄스를 수신할수 있고 정보를 얻을수 있습니다.

펄스형APD 검출기는 단일 모드 광섬유 및 동축 모듈을 사용합니다. 제품은 고속 응답성으로 1310nm에서 0.80A/W ~ 0.94A/W의 펄스 응답성을 나타내고 1550nm에서 0.81A/W ~ 0.96A/W의 펄스 응답성을 나타냅니다. 또한 암전류가5nA ~ 25nA, 반사손실이30db로 비 전송신호의 간섭을 적게 받으므로 얻은 정보의 신뢰성을 보장합니다.




최대 정격 절대값

파라미터 기호 최소 평균 최대 단위
순방향 전류 IF 10 mA
역방향 전류 IR 0.5 mA
동작 케이스 온도 TC -40 85
보존온도 TSTG -40 85
납땜 온도 TSOL - 260(10s)
상대습도 RH -40 85 %

광학적 & 전기적 특성

파라미터 기호 최소 평균 최대 단위 비고
역방향 브레이크다운 전압 VBR 50 70 100 V ID = 100 μA
역방향 브레이크다운 전압 온도계수1 δ 0.2 %/℃
암전류 ID 5 25 nA VR = VBR x 0.9
곱하기 암전류 IDM 1 5 nA M = 2 to 10
단자 정전용량 Ct 0.35 0.60 pF VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz
차단 주파수 fC 2.5 GHz M = 10
양자 효율 η 76 90 % λ = 1310 nm, M = 1
65 77 λ = 1550 nm, M = 1
응답도 S 0.80 0.94 A/W λ = 1310 nm, M = 1
0.81 0.96 λ = 1550 nm, M = 1
증배율 M 30 40 M λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA, VR = V (at ID = 1 μA)
과도 잡음지수 x 0.7 - λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
F 5 λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μA, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
광반사 손실 ORL 30 dB SMF

Pin 배치

그림

주문내용
MAP-3X-XXX

M PD -3 x -x x x
모드 제품 비율 커넥터 피그테일 색상 피그테일 길이 증배율
3:3Gb/s 1:FC/APC 2:FC/PC 3:SC/APC 4:SC/PC 5:LC/PC 6:LC/APC W:없음 H:옐로 B:내츄럴 R:밀크 화이트 D: 컬러 5:0.5M 1:1M 2:20 3:30 4:40

중국의 InGaAs OTDR용 펄스형 APD 검파기 전문업체로서 그외에InGaAs OTDR용 펄스형 APD 검파기, DFB동축 피그테일 2.5G 레이저 다이오드1-4mW, 1310nm LED 부품 (발광 다이오드), 소지역 InGaAs광검출기 포토다이오드등을 공급하고 있습니다.

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