1490nm OTDR용 펄스 레이저 다이오드는 파장이1470nm에서 1510nm사이의 펄스 레이저를 생산할수 있고 OTDR장치의 광원으로 사용할수 있습니다. 반사하여 돌아온 광펄스에 의해 광섬유의 내부상황을 판단할수 있습니다.사용자는 오직 광섬유의 한끝을 사용하여 전체 광섬유의 측정을 완성할수 있으며 광섬유의 길이, 노드 및 중단점등 정보를 얻을수 있습니다.
펄스 레이저 다이오드는 60mW~ 80mW 의 고출력을 가지고 있으며, IFP는 450mA이며, 펄스 폭이10us정도이며, 충격 계수(duty factor)가1%입니다. 광펄스의 파장이 길수록 광섬유내의 손실이 적으므로 동일한 전송거리에서 소비되는 전력이 적습니다. 본 시리즈 펄스 레이저 다이오드의 펄스 폭이5nm에서10nm사이로, 넓은 펄스폭이 가진 에너지 용량도 크게 되므로 광원으로 하여 광섬유내에서 비교적 긴 시간 사용될수 있습니다.
최대 정격 절대값
파라미터 | 기호 | 최소 | 평균 | 최대 | 단위 |
펄스 순방향 전류*1 | IFP | 1000 | mA | ||
역방향 전압 | VR | 2 | V | ||
역방향 전압(모니터PD) | VRM | 10 | V | ||
역방향 전류(모니터PD) | IFPM | 2 | mA | ||
동작 케이스 온도 | TC | 0 | 60 | ℃ | |
보존 온도 | Tstg | -40 | 85 | ℃ | |
납땜 온도 | Tsld | 260(10s) | ℃ | ||
상대습도(비응축) | RH | 85 | % |
광학적 & 전기적 특성
파라미터 | 기호 | 최소 | 타입 | 최대 | 단위 | 비고 |
순방향 전압 | VFP | 3.5 | V | IFP = 450 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% | ||
임계치 전류 | Ith | 8 | 30 | mA | ||
광섬유에서의 광출력 | Pf | 60 | 80 | mW | IFP =450 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% | |
중심파장 | λC | 1470 | 1490 | 1510 | nm | RMS (−20 dB), IFP = 450 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% |
스펙트럼폭 | σ | 5 | 10 | nm | RMS (−20 dB), IFP = 450 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% | |
상승 시간 | tr | 0.5 | 2.0 | ns | 10-90% | |
하강 시간 | tf | 0.5 | 2.0 | ns | 90-10% | |
순방향 전류(CW) | Ifcw | 15 | mA | Pfcw = 2 mW | ||
모니터 전류 | Im | 0.05 | 2 | mA | Pfcw = 2 mW, VRM = 2 V |
주문내용
MLD-F49W2-XAXXX
M | LD | -F | 49 | W | 2 | -x | A | x | x | x |
모드 | 제품 | 타입 | 파장 | 절연체 | 비율 | 커넥터 | 핀 | 피그테일 색상 | 피그테일 길이 | 출력범위 |
F:FP | 49:1490nm | W:없음 | 2:2.5Gb/s | 1:FC/APC 2:FC/PC 3:SC/APC 4:SC/PC 5:LC/PC 6:LC/APC | A:725 | H:옐로 B:내츄럴 R:밀크 화이트 | 5:0.5m 1:1m | o2:>20mW<30mW o4:>40mW<60mW o6:>60mW<80W o8:>80mW<100mW |
Shengshi는 1490nm OTDR용 펄스 레이저 다이오드 전문 제조업체입니다. 그외에650nm 적색광원 동축 피그테일 레이저다이오드, 광역 InGaAs PIN 검파 다이오드, 850nm InGaAs PIN-TIA 검출기, 1310nm 동축 피그테일 FP 레이저 다이오드등을 공급하고 있습니다.